.SUBCKT IPN70R360P7S_L0  drain  gate  source
Lg     gate  g1    3n
Ld     drain d1    1n
Ls     source s1   2n
Rs      s1    s2   9.6m
Rg     g1    g2     30
M1      d2    g2    s2    s2    DMOS    L=1u   W=1u
.MODEL DMOS NMOS ( KP= 15.008  VTO=3.7  THETA=0  VMAX=1.5e5  ETA=0  LEVEL=3)
Rd     d2    d1a    0.27 TC=9m
.MODEL MVDR NMOS (KP=26.1 VTO=-1   LAMBDA=0.15)
Mr d1 d2a d1a d1a MVDR W=1u L=1u
Rx d2a d1a 1m
Cds1 s2 d2 4.6p
Dbd     s2    d2    Dbt
.MODEL     Dbt    D(BV=700   M=0.9  CJO=1.4n  VJ=0.5V)
Dbody   s2   21    DBODY
.MODEL DBODY  D(IS=2122.3p  N=1.5  RS=44u  EG=1.12  TT=250n)
Rdiode  d1  21    17m TC=1m
.MODEL   sw    NMOS(VTO=0  KP=10   LEVEL=1)
Maux      g2   c    a    a   sw
Maux2     b    d    g2    g2   sw
Eaux      c    a    d2    g2   1
Eaux2     d    g2   d2    g2   -1
Cox       b    d2   0.55n
.MODEL     DGD    D(M=0.9   CJO=0.55n   VJ=0.5)
Rpar      b    d2   1Meg
Dgd       a    d2   DGD
Rpar2     d2   a    10Meg
Cgs     g2    s2    0.6n
.ENDS  IPN70R360P7S_L0